N-Channel MOSFET, 39 A, 600 V, 3-Pin TO-220SIS Toshiba TK39A60W,S4VX(M

RS 제품 번호:: 896-2366
제조사 부품 번호:: TK39A60W,S4VX(M
제조업체:: Toshiba

N-Channel MOSFET, 39 A, 600 V, 3-Pin TO-220SIS Toshiba TK39A60W,S4VX(M

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RS 제품 번호:: 896-2366
제조사 부품 번호:: TK39A60W,S4VX(M
제조업체:: Toshiba

TK39A60W, Silicon N-Channel DTMOS MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

속성	값
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	39 A
Maximum Drain Source Voltage	600 V
Series	TK
Package Type	TO-220SIS
Mounting Type	Through Hole
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	65 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	3.7V
Maximum Power Dissipation	50 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Width	4.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs	110 nC @ 10 V
Length	10mm
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Number of Elements per Chip	1
Transistor Material	Si
Height	15mm

N-Channel MOSFET, 39 A, 600 V, 3-Pin TO-220SIS Toshiba TK39A60W,S4VX(M

MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba