DiodesZetex Isolated 2 Type N, Type P-Channel Power MOSFET, 4.5 A, 30 V Enhancement, 6-Pin TSOT DMG6601LVT-7
- RS 제품 번호:
- 823-2915
- 제조사 부품 번호:
- DMG6601LVT-7
- 제조업체:
- DiodesZetex
본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.
대량 구매 할인 기용 가능
Subtotal (1 pack of 50 units)*
₩10,998.00
재고있음
- 추가로 2025년 12월 29일 부터 20,650 개 단위 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량 | 한팩당 | 한팩당* |
|---|---|---|
| 50 - 700 | ₩219.96 | ₩10,979.20 |
| 750 - 1450 | ₩214.32 | ₩10,697.20 |
| 1500 + | ₩210.56 | ₩10,528.00 |
* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다
- RS 제품 번호:
- 823-2915
- 제조사 부품 번호:
- DMG6601LVT-7
- 제조업체:
- DiodesZetex
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | DiodesZetex | |
| Channel Type | Type N, Type P | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | TSOT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 190mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 5.4nC | |
| Minimum Operating Temperature | 150°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 12 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.3W | |
| Forward Voltage Vf | 0.75V | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Maximum Operating Temperature | -55°C | |
| Length | 2.9mm | |
| Height | 0.9mm | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0 | |
| Width | 1.6 mm | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 DiodesZetex | ||
Channel Type Type N, Type P | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type TSOT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 190mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5.4nC | ||
Minimum Operating Temperature 150°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 12 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.3W | ||
Forward Voltage Vf 0.75V | ||
Transistor Configuration Isolated | ||
Maximum Operating Temperature -55°C | ||
Length 2.9mm | ||
Height 0.9mm | ||
Standards/Approvals AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0 | ||
Width 1.6 mm | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
관련된 링크들
- DiodesZetex Isolated 2 Type N, Type P-Channel Power MOSFET, 4.5 A, 30 V Enhancement, 6-Pin TSOT
- DiodesZetex DMG Type N-Channel MOSFET, 7.5 A, 30 V Enhancement, 6-Pin TSOT DMG6402LVT-7
- DiodesZetex DMG Type N-Channel MOSFET, 7.5 A, 30 V Enhancement, 6-Pin TSOT
- DiodesZetex Isolated 2 Type N, Type P-Channel Power MOSFET, 5.2 A, 20 V Enhancement, 6-Pin TSOT DMC2038LVT-7
- DiodesZetex Isolated 2 Type N, Type P-Channel Power MOSFET, 3.4 A, 30 V Enhancement, 6-Pin TSOT DMG6602SVT-7
- DiodesZetex Isolated 2 Type N, Type P-Channel Power MOSFET, 5.2 A, 20 V Enhancement, 6-Pin TSOT
- DiodesZetex Isolated 2 Type N, Type P-Channel Power MOSFET, 3.4 A, 30 V Enhancement, 6-Pin TSOT
- DiodesZetex Dual 2 Type N, Type P-Channel MOSFET, 4.6 A, 30 V Enhancement, 6-Pin TSOT DMC3071LVT-7