제조사부품번호

Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 8 A, 12 V Enhancement, 6-Pin TSOP SI3477DV-T1-GE3

RS 제품 번호:: 812-3160
제조사 부품 번호:: SI3477DV-T1-GE3
제조업체:: Vishay

Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 8 A, 12 V Enhancement, 6-Pin TSOP SI3477DV-T1-GE3

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

Subtotal (1 pack of 20 units)*

₩12,445.60

일시적 품절

2026년 6월 01일 부터 배송

더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.

수량	한팩당	한팩당*
20 +	₩622.28	₩12,445.60

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:: 812-3160
제조사 부품 번호:: SI3477DV-T1-GE3
제조업체:: Vishay

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기

모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Vishay
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	12V
	Package Type	TSOP
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	33mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	58nC
	Maximum Power Dissipation Pd	4.2W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	10 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	-0.8V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1mm
	Length	3.1mm
	Standards/Approvals	No
	Width	1.7 mm
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Vishay
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 12V
	Package Type TSOP
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 33mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 58nC
	Maximum Power Dissipation Pd 4.2W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 10 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf -0.8V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1mm
	Length 3.1mm
	Standards/Approvals No
	Width 1.7 mm
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 8 A, 12 V Enhancement, 6-Pin TSOP SI3477DV-T1-GE3

P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

관련된 링크들