제조사부품번호

Toshiba TK Type N-Channel MOSFET, 207 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 TK100E10N1

RS 제품 번호:: 796-5070
제조사 부품 번호:: TK100E10N1
제조업체:: Toshiba

Toshiba TK Type N-Channel MOSFET, 207 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 TK100E10N1

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 unit)*

₩3,778.80

재고있음

182 개 단위 배송 준비 완료
추가로 2026년 1월 02일 부터 327 개 단위 배송

더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.

수량	한팩당
1 - 12	₩3,778.80
13 - 24	₩3,684.80
25 +	₩3,628.40

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:: 796-5070
제조사 부품 번호:: TK100E10N1
제조업체:: Toshiba

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기

모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Toshiba
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	207A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	TK
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	3.4mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	140nC
	Maximum Power Dissipation Pd	255W
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Height	15.1mm
	Width	4.45 mm
	Length	10.16mm
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Toshiba
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 207A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series TK
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 3.4mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 140nC
	Maximum Power Dissipation Pd 255W
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Height 15.1mm
	Width 4.45 mm
	Length 10.16mm
	Automotive Standard No

Toshiba TK Type N-Channel MOSFET, 207 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 TK100E10N1

MOSFET Transistors, Toshiba

관련된 링크들