Toshiba 2SK Type N-Channel Field Effect Transistor, 10 A, 100 V Enhancement, 3-Pin 2SK3669(Q)
- RS 제품 번호:
- 601-2116
- 제조사 부품 번호:
- 2SK3669(Q)
- 제조업체:
- Toshiba
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- RS 제품 번호:
- 601-2116
- 제조사 부품 번호:
- 2SK3669(Q)
- 제조업체:
- Toshiba
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제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Toshiba | |
| Product Type | Field Effect Transistor | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 10A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | 2SK | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 125mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.7V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 8nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 2.3mm | |
| Length | 6.5mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Width | 5.5 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Toshiba | ||
Product Type Field Effect Transistor | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 10A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series 2SK | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 125mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Forward Voltage Vf 1.7V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 2.3mm | ||
Length 6.5mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Width 5.5 mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
MOSFET N-Channel, 2SK Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
관련된 링크들
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- onsemi BS270 Type N-Channel Field Effect Transistor, 400 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92
- Toshiba 2SK4207 Type N-Channel MOSFET, 13 A, 900 V Enhancement, 3-Pin SC-65 2SK4207(Q)
- onsemi BS270 Type N-Channel Field Effect Transistor, 400 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92 BS270
- Toshiba Single 2SK 1 Type N-Channel MOSFET, 5 A, 900 V Enhancement, 3-Pin SC-67 2SK3565,S5Q(J
- Toshiba Single 2SK 1 Type N-Channel MOSFET, 6 A, 800 V Enhancement, 3-Pin SC-67 2SK4013,S5Q(J
- Toshiba Single 2SK 1 Type N-Channel MOSFET, 3 A, 900 V Enhancement, 3-Pin SC-67 2SK3564,S5Q(J
- Toshiba 2SK Type N-Channel MOSFET, 200 mA, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-346 2SK2009(F)
