Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 209 A, 75 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP2907PBF

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RS 제품 번호:
543-1500
Distrelec 제품 번호:
303-41-348
제조사 부품 번호:
IRFP2907PBF
제조업체:
Infineon
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브랜드

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

209A

Maximum Drain Source Voltage Vds

75V

Package Type

TO-247

Series

HEXFET

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

410nC

Maximum Power Dissipation Pd

470W

Forward Voltage Vf

1.3V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

15.9mm

Height

20.3mm

Width

5.3 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Distrelec Product Id

30341348

N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon


The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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