Vishay SIRS Type P-Channel MOSFET, 198 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRS4401DP-T1-GE3

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

모든 MOSFETs 열람하기

Subtotal (1 reel of 3000 units)*

₩7,535,040.00

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
재고있음
  • 추가로 2025년 12월 29일 부터 3,000 개 단위 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량
한팩당
릴당*
3000 +₩2,511.68₩7,537,296.00

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:
279-9966
제조사 부품 번호:
SIRS4401DP-T1-GE3
제조업체:
Vishay
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

198A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

SIRS

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0022Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

588nC

Maximum Power Dissipation Pd

132W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a P-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

New generation power MOSFET

100 percent Rg and UIS tested

Ultra low RDS x Qg FOM product

Fully lead (Pb)-free device

관련된 링크들