Vishay SiR Type P-Channel MOSFET, 90.9 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR5607DP-T1-RE3

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포장 옵션
RS 제품 번호:
279-9951
제조사 부품 번호:
SIR5607DP-T1-RE3
제조업체:
Vishay
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브랜드

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

90.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

SiR

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.007Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

112nC

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5.15mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a P-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

100 percent Rg and UIS tested

Less voltage drop

Reduces conduction loss

Fully lead (Pb)-free device

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