Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 195 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- RS 제품 번호:
- 262-5851
- 제조사 부품 번호:
- IPB015N06NF2SATMA1
- 제조업체:
- Infineon
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- RS 제품 번호:
- 262-5851
- 제조사 부품 번호:
- IPB015N06NF2SATMA1
- 제조업체:
- Infineon
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제정법과 컴플라이언스
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 195A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | iPB | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.15mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 195A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series iPB | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.15mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon N channel power transistor is optimized for wide range of applications and it is 100 percent avalanche tested.
Pb-free lead plating
RoHS compliant
Halogen free according to IEC61249-2-21
관련된 링크들
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 195 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB015N06NF2SATMA1
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 187 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 190 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 190 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB013N06NF2SATMA1
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 187 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB018N06NF2SATMA1
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB029N06NF2SATMA1
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 201 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263
