Infineon IPT Type N-Channel MOSFET, 190 A, 319 V, 16-Pin TO-263
- RS 제품 번호:
- 260-2669
- 제조사 부품 번호:
- IPTC039N15NM5ATMA1
- 제조업체:
- Infineon
본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.
대량 구매 할인 기용 가능
Subtotal (1 reel of 1800 units)*
₩9,282,312.00
일시적 품절
- 2026년 6월 29일 부터 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량 | 한팩당 | 릴당* |
|---|---|---|
| 1800 - 1800 | ₩5,156.84 | ₩9,281,296.80 |
| 3600 - 3600 | ₩5,053.44 | ₩9,095,853.60 |
| 5400 + | ₩4,951.92 | ₩8,913,794.40 |
* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다
- RS 제품 번호:
- 260-2669
- 제조사 부품 번호:
- IPTC039N15NM5ATMA1
- 제조업체:
- Infineon
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 190A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 319V | |
| Series | IPT | |
| Package Type | TO-263 | |
| Pin Count | 16 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.9mΩ | |
| Forward Voltage Vf | 0.81V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 319W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 74nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 10.3 mm | |
| Height | 2.35mm | |
| Length | 10.1mm | |
| Standards/Approvals | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 190A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 319V | ||
Series IPT | ||
Package Type TO-263 | ||
Pin Count 16 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.9mΩ | ||
Forward Voltage Vf 0.81V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 319W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 74nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 10.3 mm | ||
Height 2.35mm | ||
Length 10.1mm | ||
Standards/Approvals IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon MOSFET provides a cooling package for superior thermal performance with an innovative package combined with the key features of the technology which allows best in class products as well as high current rating for high-power density designs.
Increased system efficiency enabling extended battery life time
High power density
Superior thermal performance
Saving in cooling system
관련된 링크들
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET, 190 A, 319 V, 16-Pin TO-263 IPTC039N15NM5ATMA1
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET, 174 A, 150 V, 16-Pin TO-263
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET, 190 A, 150 V, 8-Pin TOLG
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET, 174 A, 150 V, 16-Pin TO-263 IPTC044N15NM5ATMA1
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET, 190 A, 150 V, 8-Pin TOLG IPTG039N15NM5ATMA1
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET, 190 A, 150 V Enhancement, 8-Pin HSOF-8
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET, 190 A, 150 V Enhancement, 8-Pin HSOF-8 IPT039N15N5ATMA1
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET, 143 A, 150 V, 16-Pin HDSOP
