제조사부품번호

Infineon iPB Type P-Channel MOSFET, 80 A, 40 V Enhancement TO-263 IPB80P04P405ATMA2

RS 제품 번호:: 258-3813
제조사 부품 번호:: IPB80P04P405ATMA2
제조업체:: Infineon

Infineon iPB Type P-Channel MOSFET, 80 A, 40 V Enhancement TO-263 IPB80P04P405ATMA2

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RS 제품 번호:: 258-3813
제조사 부품 번호:: IPB80P04P405ATMA2
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	80A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Series	iPB
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds	40.7mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 80A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Series iPB
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds 40.7mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - IPB80P04P405ATMA2

The Infineon OptiMOS-P2 power-transistor is P-channel normal level enhancement mode. It has 175°C operating temperature.

AEC qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

Infineon iPB Type P-Channel MOSFET, 80 A, 40 V Enhancement TO-263 IPB80P04P405ATMA2

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