제조사부품번호

Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 11 A, 600 V N TO-263 IPB60R299CPAATMA1

RS 제품 번호:: 258-3809
제조사 부품 번호:: IPB60R299CPAATMA1
제조업체:: Infineon

Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 11 A, 600 V N TO-263 IPB60R299CPAATMA1

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RS 제품 번호:: 258-3809
제조사 부품 번호:: IPB60R299CPAATMA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	11A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Series	iPB
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds	40.7mΩ
	Channel Mode	N
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 11A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Series iPB
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds 40.7mΩ
	Channel Mode N
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IPB60R299CPAATMA1

The Infineon CoolMOS power transistor is high peak current capability, its automotive AEC Q101 qualified.

Ultra low gate charge

Extreme dv/dt rated

Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 11 A, 600 V N TO-263 IPB60R299CPAATMA1

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