Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 72 A, 200 V TO-262 IRFS4127TRLPBF
- RS 제품 번호:
- 257-5836
- 제조사 부품 번호:
- IRFS4127TRLPBF
- 제조업체:
- Infineon
본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.
대량 구매 할인 기용 가능
Subtotal (1 pack of 2 units)*
₩10,415.20
일시적 품절
- 2026년 3월 30일 부터 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량 | 한팩당 | 한팩당* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | ₩5,207.60 | ₩10,415.20 |
| 10 - 48 | ₩4,474.40 | ₩8,948.80 |
| 50 - 98 | ₩4,380.40 | ₩8,760.80 |
| 100 - 248 | ₩3,919.80 | ₩7,839.60 |
| 250 + | ₩3,844.60 | ₩7,689.20 |
* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다
- RS 제품 번호:
- 257-5836
- 제조사 부품 번호:
- IRFS4127TRLPBF
- 제조업체:
- Infineon
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 72A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Package Type | TO-262 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 18.6mΩ | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 100nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 375W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 72A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Package Type TO-262 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 18.6mΩ | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 100nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 375W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon MOSFET is improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness and fully characterized capacitance and avalanche SOA.
Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability
Lead-Free
High efficiency synchronous rectification in SMPS
Uninterruptible power supply
관련된 링크들
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 72 A, 200 V TO-262
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 72 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-262 IRFSL4127PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 72 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-262
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 130 A, 100 V TO-220 IRFS4310TRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 270 A, 60 V TO-263 IRFS3006TRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 80 A, 75 V TO-263 IRFS3607TRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 24 A, 200 V TO-263 IRFS4620TRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 62 A, 200 V TO-263 IRFS4227TRLPBF