Vishay Si4948BEY Type N-Channel MOSFET, 2.4 A, 60 V, 8-Pin SOIC SI4948BEY-T1-E3
- RS 제품 번호:
- 256-7363
- 제조사 부품 번호:
- SI4948BEY-T1-E3
- 제조업체:
- Vishay
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- RS 제품 번호:
- 256-7363
- 제조사 부품 번호:
- SI4948BEY-T1-E3
- 제조업체:
- Vishay
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 2.4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SOIC | |
| Series | Si4948BEY | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.4Ω | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 14.5nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| Height | 1.75mm | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 2.4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SOIC | ||
Series Si4948BEY | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.4Ω | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 14.5nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
Height 1.75mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay Semiconductor dual p-channel 175° mosfet iTime is halogen-free.
TrenchFET power mosfet
Compliant to RoHS directive 2002/95/EC
Surface mounted on 1 x 1 FR4 board
관련된 링크들
- Vishay Si4948BEY Type N-Channel MOSFET, 2.4 A, 60 V, 8-Pin SOIC
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel MOSFET, 3.1 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4948BEY-T1-GE3
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel MOSFET, 3.1 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 6.5 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4946BEY-T1-GE3
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 6.5 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI4946BEY-T1-E3
- Vishay Si4850EY Type N-Channel MOSFET, 8.5 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4850EY-T1-GE3
- Vishay Si4850EY Type N-Channel MOSFET, 8.5 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- Vishay Si4134DY Type N-Channel MOSFET, 14 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC Si4134DY-T1-GE3
