Infineon IMBG Type N-Channel MOSFET, 18 A, 1200 V N, 7-Pin TO-263 IMBG120R140M1HXTMA1

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 unit)*

₩8,159.20

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
재고있음
  • 946 개 단위 배송 준비 완료
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량
한팩당
1 - 9₩8,159.20
10 - 99₩7,350.80
100 - 249₩6,598.80
250 - 499₩5,940.80
500 +₩5,358.00

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

포장 옵션
RS 제품 번호:
249-6952
제조사 부품 번호:
IMBG120R140M1HXTMA1
제조업체:
Infineon
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

18A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

IMBG

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.7mΩ

Channel Mode

N

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon silicon carbide MOSFET reduction of system complexity. It directly drive from fly-back controller. Efficiency improvement and cooling effort reduction. Enabling higher frequency.

Very low switching losses

Short circuit withstand time 3 μs

Fully controllable dV/dt

Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V

Robust against parasitic turn on, 0V turn-off gate voltage can be applied

Robust body diode for hard commutation

XT interconnection technology for best-in-class thermal performance

Package creepage and clearance distance > 6.1mm

Sense pin for optimized switching performance

관련된 링크들