제조사부품번호

onsemi SiC Power Module, 1200 V F1-2PACK NXH010P120MNF1PTG

RS 제품 번호:: 248-5824
제조사 부품 번호:: NXH010P120MNF1PTG
제조업체:: onsemi

onsemi SiC Power Module, 1200 V F1-2PACK NXH010P120MNF1PTG

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RS 제품 번호:: 248-5824
제조사 부품 번호:: NXH010P120MNF1PTG
제조업체:: onsemi

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	onsemi
	Product Type	SiC Power Module
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1200V
	Package Type	F1-2PACK
	Mount Type	Through Hole
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Power Dissipation Pd	250W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	25 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 onsemi
	Product Type SiC Power Module
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V
	Package Type F1-2PACK
	Mount Type Through Hole
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Power Dissipation Pd 250W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - NXH010P120MNF1PTG

SiC Module - EliteSiC 2-PACK Half Bridge Topology, 1200 V, 10 mohm SiC M1 MOSFET Press-fit pins, Thermal Interface Material

The ON Semiconductor is a power module containing an 10 mohm/1200 V SiC MOSFET half bridge and a thermistor in an F1 package.

10 mohm/1200 V SiC MOSFET half bridge

Options with pre−applied thermal interface material and without pre−applied TIM

Press−fit pins

onsemi SiC Power Module, 1200 V F1-2PACK NXH010P120MNF1PTG

SiC Module - EliteSiC 2-PACK Half Bridge Topology, 1200 V, 10 mohm SiC M1 MOSFET Press-fit pins, Thermal Interface Material

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