onsemi SiC Power Module, 114 A, 1.2 kV F1-2PACK NXH010P120MNF1PTG

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RS 제품 번호:
248-5824
제조사 부품 번호:
NXH010P120MNF1PTG
제조업체:
onsemi
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브랜드

onsemi

Product Type

SiC Power Module

Maximum Continuous Drain Current Id

114A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1.2kV

Package Type

F1-2PACK

Mount Type

Through Hole

Maximum Power Dissipation Pd

250W

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

SiC Module - EliteSiC 2-PACK Half Bridge Topology, 1200 V, 10 mohm SiC M1 MOSFET Press-fit pins, Thermal Interface Material


The ON Semiconductor is a power module containing an 10 mohm/1200 V SiC MOSFET half bridge and a thermistor in an F1 package.

10 mohm/1200 V SiC MOSFET half bridge

Options with pre−applied thermal interface material and without pre−applied TIM

Press−fit pins

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