Infineon IPN N-Channel MOSFET, 6.1 A, 75 V, 3-Pin SOT-223 IPN50R2K0CEATMA1
- RS 제품 번호:
- 244-2263
- 제조사 부품 번호:
- IPN50R2K0CEATMA1
- 제조업체:
- Infineon
본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.
대량 구매 할인 기용 가능
View bulk pricing optionsSubtotal (1 pack of 10 units)*
₩7,280.00
재고있음
- 추가로 2026년 9월 28일 부터 1,920 개 단위 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량 | 한팩당 | 한팩당* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | ₩728.00 | ₩7,280.00 |
| 20 - 90 | ₩712.00 | ₩7,120.00 |
| 100 - 240 | ₩692.00 | ₩6,920.00 |
| 250 - 490 | ₩678.00 | ₩6,780.00 |
| 500 + | ₩662.00 | ₩6,620.00 |
* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다
- RS 제품 번호:
- 244-2263
- 제조사 부품 번호:
- IPN50R2K0CEATMA1
- 제조업체:
- Infineon
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 6.1A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 75V | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Series | IPN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3mΩ | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 6.1A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 75V | ||
Package Type SOT-223 | ||
Series IPN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3mΩ | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon's CoolMOS™ CE Power MOSFETs are a technology platform of high voltage power MOSFETs that are designed according to the super junction principle (SJ) and conceived to fulfill consumer requirements.
Extremely low losses due to very low FOM Rdson Qg and Eoss.
Very high commutation ruggedness.
Easy to use/drive.
Pb-free plating,Halogen free mold compound.
Qualified for standard grade applications.
관련된 링크들
- Infineon IPN Type N-Channel MOSFET, 6.1 A, 75 V, 3-Pin SOT-223
- Infineon IPN MOSFET, 7.6 A, 3-Pin PG-SOT223 IPN50R800CEATMA1
- Infineon CoolMOS CE N-Channel MOSFET, 9 A, 550 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 IPN50R650CEATMA1
- Infineon IPN MOSFET, 7.6 A, 3-Pin PG-SOT223
- Infineon N-Channel MOSFET Transistor, 1.7 A, 500 V, 3-Pin SOT-223 IPN50R3K0CEATMA1
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET, 6.6 A, 550 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 IPN50R950CEATMA1
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET, 4.8 A, 550 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 IPN50R1K4CEATMA1
- Infineon IPN Type N-Channel MOSFET, 100 A, 650 V, 3-Pin SOT-223