Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 180 A, 40 V N, 3-Pin TO-252 IPD25DP06LMATMA1
- RS 제품 번호:
- 244-1590
- 제조사 부품 번호:
- IPD25DP06LMATMA1
- 제조업체:
- Infineon
본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.
대량 구매 할인 기용 가능
Subtotal (1 pack of 5 units)*
₩7,144.00
마지막 RS 재고
- 최종적인 1,140 개 unit(s)이 배송 준비 됨
수량 | 한팩당 | 한팩당* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | ₩1,428.80 | ₩7,144.00 |
| 10 - 95 | ₩1,394.96 | ₩6,974.80 |
| 100 - 245 | ₩1,361.12 | ₩6,805.60 |
| 250 - 495 | ₩1,331.04 | ₩6,655.20 |
| 500 + | ₩1,297.20 | ₩6,486.00 |
* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다
- RS 제품 번호:
- 244-1590
- 제조사 부품 번호:
- IPD25DP06LMATMA1
- 제조업체:
- Infineon
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 180A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | IPD | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.4mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 180A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series IPD | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.4mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon MOSFET OptiMOSTM Power Transistor has Pb-free lead plating, RoHS compliant and is halogen-free according to IEC61249-2-21.
P-Channel
Very low on-resistance RDS(on)
100% avalanche tested
Normal Level
Enhancement mode
관련된 링크들
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 9 A, 150 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD42DP15LMATMA1
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 13.9 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD18DP10LMATMA1
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 180 A, 75 V P, 3-Pin TO-252 IPD380P06NMATMA1
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 180 A, 100 V N, 3-Pin TO-252 IPD650P06NMATMA1
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 180 A, 75 V P, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 180 A, 100 V N, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 22 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD11DP10NMATMA1
- Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET, 6.5 A, 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 IPD25DP06NMATMA1
