Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET, 4.3 A, 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 IPD40DP06NMATMA1
- RS 제품 번호:
- 273-3007
- 제조사 부품 번호:
- IPD40DP06NMATMA1
- 제조업체:
- Infineon
본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.
Subtotal (1 reel of 2500 units)*
₩963,500.00
일시적 품절
- 2026년 5월 22일 부터 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량 | 한팩당 | 릴당* |
|---|---|---|
| 2500 + | ₩385.40 | ₩964,440.00 |
* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다
- RS 제품 번호:
- 273-3007
- 제조사 부품 번호:
- IPD40DP06NMATMA1
- 제조업체:
- Infineon
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4.3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | OptiMOS | |
| Package Type | PG-TO252-3 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 400mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 6.7nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 19W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4.3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series OptiMOS | ||
Package Type PG-TO252-3 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 400mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.7nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 19W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon P-channel MOSFETs in DPAK package represents the new technology targeted for battery management, load switch and reverse polarity protection applications. Its easy interface to MCU, fast switching as well as avalanche ruggedness makes it suit
Easy interface to MCU
Improved efficiency at low loads due to low Qg
Fast switching
관련된 링크들
- Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET, 6.5 A, 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 IPD25DP06NMATMA1
- Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET, -16.4 A, 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 IPD900P06NMATMA1
- Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET, 4.3 A, 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET, 6.5 A, 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET, -16.4 A, 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 22 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD11DP10NMATMA1
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 13.7 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD19DP10NMATMA1
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 180 A, 75 V P, 3-Pin TO-252 IPD380P06NMATMA1