Infineon AUIRFS Type P-Channel MOSFET, 230 A, 75 V, 3-Pin TO-252 AUIRFR5305TR
- RS 제품 번호:
- 244-0891
- 제조사 부품 번호:
- AUIRFR5305TR
- 제조업체:
- Infineon
본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.
대량 구매 할인 기용 가능
View bulk pricing optionsSubtotal (2 units, in packs of 2)*
₩12,920.00
재고있음
- 1,632 개 단위 배송 준비 완료
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량 | 한팩당 | 한팩당* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | ₩6,460.00 | ₩12,920.00 |
| 10 - 98 | ₩6,330.00 | ₩12,660.00 |
| 100 - 248 | ₩6,210.00 | ₩12,420.00 |
| 250 - 498 | ₩6,080.00 | ₩12,160.00 |
| 500 + | ₩5,950.00 | ₩11,900.00 |
* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다
- RS 제품 번호:
- 244-0891
- 제조사 부품 번호:
- AUIRFR5305TR
- 제조업체:
- Infineon
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 230A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 75V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | AUIRFS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3mΩ | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 230A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 75V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series AUIRFS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3mΩ | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon MOSFET specifically designed for Automotive applications, this Cellular Planar design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area.
Advanced Planar Technology
Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
관련된 링크들
- Infineon AUIRFS Type P-Channel MOSFET, 230 A, 75 V, 3-Pin TO-252
- Infineon AUIRFS Type N-Channel MOSFET, 59 A, 55 V, 3-Pin TO-252 AUIRFR2905ZTRL
- Infineon AUIRFS Type N-Channel MOSFET, 43 A, 60 V, 3-Pin TO-252 AUIRFR3806TRL
- Infineon AUIRFS Type N-Channel MOSFET, 24 A, 200 V, 3-Pin TO-252 AUIRFR4620TRL
- Infineon AUIRFS Type N-Channel MOSFET, 35 A, 100 V, 3-Pin TO-252 AUIRFR540ZTRL
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 31 A, 55 V, 3-Pin TO-252 AUIRFR5305TRL
- Infineon AUIRFS Type N-Channel MOSFET, 59 A, 55 V, 3-Pin TO-252
- Infineon AUIRFS Type N-Channel MOSFET, 43 A, 60 V, 3-Pin TO-252