Infineon IQE Type N-Channel MOSFET, 253 A, 30 V, 8-Pin PQFN
- RS 제품 번호:
- 240-6631
- 제조사 부품 번호:
- IQE030N06NM5ATMA1
- 제조업체:
- Infineon
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- RS 제품 번호:
- 240-6631
- 제조사 부품 번호:
- IQE030N06NM5ATMA1
- 제조업체:
- Infineon
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제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 253A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | IQE | |
| Package Type | PQFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.85mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 16 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Forward Voltage Vf | 0.73V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 3.3mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 253A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series IQE | ||
Package Type PQFN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.85mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Forward Voltage Vf 0.73V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 3.3mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOSTM 5 60V PQFN 3.3x3.3 Source-Down features 60 V and low RDS(on) of 3.0 mOhm. It offers several advantages, such as increased thermal capability, advanced power density or improved layout possibilities. Furthermore, the higher efficiency, the reduced active cooling requirements and the effective layout for thermal management are benefits at the system level.
Improved PCB losses
Enabling highest power density and performance
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