제조사부품번호

Vishay SIA Type P-Channel MOSFET, 9 A, 20 V PowerPAK SC-70 SIA4265EDJ-T1-GE3

RS 제품 번호:: 239-5368
제조사 부품 번호:: SIA4265EDJ-T1-GE3
제조업체:: Vishay

Vishay SIA Type P-Channel MOSFET, 9 A, 20 V PowerPAK SC-70 SIA4265EDJ-T1-GE3

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50 - 75	₩481.28	₩12,016.96
100 - 225	₩466.24	₩11,656.00
250 - 975	₩453.08	₩11,308.20
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RS 제품 번호:: 239-5368
제조사 부품 번호:: SIA4265EDJ-T1-GE3
제조업체:: Vishay

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Vishay
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Package Type	PowerPAK SC-70
	Series	SIA
	Mount Type	Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.032Ω
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±8 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	15.6W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	13.8nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS

	모두 선택
	브랜드 Vishay
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Package Type PowerPAK SC-70
	Series SIA
	Mount Type Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.032Ω
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±8 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 15.6W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 13.8nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS

Datasheet - SIA4265EDJ-T1-GE3

The Vishay P channel MOSFET has drain current of -9 A. It is used for Load switches, battery switches, charger switches

100 % Rg tested

Thermally enhanced PowerPAK® SC-70 package

Small footprint area

Low on-resistance

Typical ESD protection: 3000 V (HBM)

Vishay SIA Type P-Channel MOSFET, 9 A, 20 V PowerPAK SC-70 SIA4265EDJ-T1-GE3

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