제조사부품번호

Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 350.8 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8

RS 제품 번호:: 228-2900
제조사 부품 번호:: SiR500DP-T1-RE3
제조업체:: Vishay

Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 350.8 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8

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RS 제품 번호:: 228-2900
제조사 부품 번호:: SiR500DP-T1-RE3
제조업체:: Vishay

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	350.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	SO-8
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.47mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	120nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	16 V
	Maximum Power Dissipation Pd	104.1W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 350.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type SO-8
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.47mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 120nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V
	Maximum Power Dissipation Pd 104.1W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - SiR500DP-T1-RE3

The Vishay TrenchFET N-channel is 30 V MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 350.8 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8

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