Vishay E Type N-Channel MOSFET, 32 A, 650 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SiHH080N60E-T1-GE3

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

모든 MOSFETs 열람하기
대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 pack of 2 units)*

₩15,566.40

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
재고있음
  • 2,944 개 단위 배송 준비 완료
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량
한팩당
한팩당*
2 - 48₩7,783.20₩15,566.40
50 - 98₩7,548.20₩15,096.40
100 - 248₩7,322.60₩14,645.20
250 - 998₩7,097.00₩14,194.00
1000 +₩6,890.20₩13,780.40

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

포장 옵션
RS 제품 번호:
228-2873
제조사 부품 번호:
SiHH080N60E-T1-GE3
제조업체:
Vishay
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

32A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

PowerPAK

Series

E

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

80mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

42nC

Maximum Power Dissipation Pd

184W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET reduced switching and conduction losses.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

관련된 링크들