Infineon IMZ1 Type N-Channel MOSFET, 19 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247 IMZ120R140M1HXKSA1

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 unit)*

₩10,904.00

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
재고있음
  • 1,316 개 단위 배송 준비 완료
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량
한팩당
1 - 9₩10,904.00
10 - 99₩10,716.00
100 - 249₩10,528.00
250 - 499₩10,321.20
500 +₩10,152.00

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

포장 옵션
RS 제품 번호:
222-4869
제조사 부품 번호:
IMZ120R140M1HXKSA1
제조업체:
Infineon
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

19A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

IMZ1

Package Type

TO-247

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

140mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon CoolSiC™ 1200 V, 140 mΩ SiC MOSFET in TO247-4 package build on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to combine performance with reliability. In comparison to traditional silicon (Si) based switches like IGBTs and MOSFETs, the SiC MOSFET offers a series of advantages. These include, the lowest gate charge and device capacitance levels seen in 1200 V switches, no reverse recovery losses of the internal commutation proof body diode, temperature independent low switching losses, and threshold-free on-state characteristic.

Best in class switching and conduction losses

Benchmark high threshold voltage, Vth > 4 V

0V turn-off gate voltage for easy and simple gate drive

Wide gate-source voltage range

Robust and low loss body diode rated for hard commutation

관련된 링크들