제조사부품번호

Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 31.2 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB65R190C7ATMA2

RS 제품 번호:: 222-4658
제조사 부품 번호:: IPB65R190C7ATMA2
제조업체:: Infineon

Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 31.2 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB65R190C7ATMA2

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RS 제품 번호:: 222-4658
제조사 부품 번호:: IPB65R190C7ATMA2
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	31.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Package Type	TO-263
	Series	CoolMOS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	110mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 31.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Package Type TO-263
	Series CoolMOS
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 110mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IPB65R190C7ATMA2

The Infineon design of Cool MOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. 600V Cool MOS™ C7 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The 600V C7 is the first technology ever with RDS(on)*A below 1Ohm*mm².

AEC Q101 qualified

Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 31.2 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB65R190C7ATMA2

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