Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 50 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

모든 MOSFETs 열람하기
대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 reel of 1000 units)*

₩8,948,800.00

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
일시적 품절
  • 2026년 5월 04일 부터 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량
한팩당
릴당*
1000 - 4000₩8,948.80₩8,948,800.00
5000 +₩8,770.20₩8,769,824.00

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:
222-4650
제조사 부품 번호:
IPB60R040C7ATMA1
제조업체:
Infineon
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

50A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

TO-263

Series

CoolMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

40mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon design of Cool MOS™ C7 is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. 600V Cool MOS™ C7 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The 600V C7 is the first technology ever with RDS(on)*A below 1Ohm*mm².

Suitable for hard and soft switching (PFC and high performance LLC) Increased MOSFET dv/dt ruggedness to 120V/ns

Increased efficiency due to best in class FOM RDS(on)*Eoss and RDS(on)*Qg

Best in class RDS(on) /package

관련된 링크들