Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 171 A, 150 V Enhancement, 3-Pin TO-247

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 tube of 25 units)*

₩357,623.00

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
재고있음
  • 1,075 개 단위 배송 준비 완료
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량
한팩당
Per Tube*
25 - 50₩14,304.92₩357,632.40
75 - 100₩13,754.08₩343,870.80
125 +₩13,581.12₩339,509.20

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:
222-4611
제조사 부품 번호:
AUIRFP4568
제조업체:
Infineon
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

171A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Series

HEXFET

Package Type

TO-247

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

5.9mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

517W

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

151nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

20.7 mm

Height

5.31mm

Length

15.87mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in Automotive and a wide variety of other applications.

Advanced Planar Technology

Dual N Channel MOSFET Low On-Resistance

Logic Level Gate Drive

관련된 링크들