제조사부품번호

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 23 A, 30 V TO-252

RS 제품 번호:: 218-3127
제조사 부품 번호:: IRLR2703TRPBF
제조업체:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 23 A, 30 V TO-252

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RS 제품 번호:: 218-3127
제조사 부품 번호:: IRLR2703TRPBF
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	23A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	HEXFET
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds	65mΩ
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	341W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	162nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	5.31 mm
	Standards/Approvals	No
	Length	15.87mm
	Height	20.7mm
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 23A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series HEXFET
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds 65mΩ
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 341W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 162nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 5.31 mm
	Standards/Approvals No
	Length 15.87mm
	Height 20.7mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IRLR2703TRPBF

The Infineon HEXFET series N-channel power MOSFET. It utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This MOSFET is designed for surface mounting using vapour phase, infrared, or wave soldering techniques.

Ultra Low On-Resistance

Fast Switching

Fully Avalanche Rated

Lead free

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 23 A, 30 V TO-252

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