제조사부품번호

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 269 A, 75 V Enhancement, 7-Pin TO-263

RS 제품 번호:: 218-3123
제조사 부품 번호:: IRFS7730TRL7PP
제조업체:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 269 A, 75 V Enhancement, 7-Pin TO-263

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 reel of 800 units)*

₩2,221,408.00

재고있음

800 개 단위 배송 준비 완료

더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.

수량	한팩당	릴당*
800 - 3200	₩2,776.76	₩2,221,257.60
4000 +	₩2,720.36	₩2,176,889.60

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:: 218-3123
제조사 부품 번호:: IRFS7730TRL7PP
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기

모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	269A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	75V
	Package Type	TO-263
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	7
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	375W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	428nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	9.65mm
	Width	4.83 mm
	Length	10.67mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 269A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 75V
	Package Type TO-263
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 7
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 375W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 428nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 9.65mm
	Width 4.83 mm
	Length 10.67mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IRFS7730TRL7PP

The Infineon HEXFET series single N-Channel Power MOSFET. Integrated with D2PAK 7pin (TO-263 7pin) type package.

Lead-free, RoHS compliant

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 269 A, 75 V Enhancement, 7-Pin TO-263

관련된 링크들