Infineon 600V CoolMOS CFD7 Type N-Channel MOSFET, 18 A, 600 V, 3-Pin TO-220
- RS 제품 번호:
- 218-3066
- 제조사 부품 번호:
- IPP60R125CFD7XKSA1
- 제조업체:
- Infineon
본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.
대량 구매 할인 기용 가능
Subtotal (1 tube of 50 units)*
₩157,074.00
재고있음
- 추가로 2025년 12월 29일 부터 400 개 단위 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량 | 한팩당 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | ₩3,141.48 | ₩157,074.00 |
| 100 - 150 | ₩3,073.80 | ₩153,671.20 |
| 200 + | ₩3,004.24 | ₩150,249.60 |
* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다
- RS 제품 번호:
- 218-3066
- 제조사 부품 번호:
- IPP60R125CFD7XKSA1
- 제조업체:
- Infineon
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 18A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | 600V CoolMOS CFD7 | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 125mΩ | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 92W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 36nC | |
| Length | 10.36mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 9.45mm | |
| Width | 4.57 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 18A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series 600V CoolMOS CFD7 | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 125mΩ | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 92W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 36nC | ||
Length 10.36mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 9.45mm | ||
Width 4.57 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 600V CoolMOSª CFD7 N-Channel Power MOSFET. The CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon technologies.
Ultra-fast body diode
Low gate charge
Best-in-class reverse recovery charge (Qrr)
Improved MOSFET reverse diode dv/dt and diF/dt ruggedness
관련된 링크들
- Infineon 600V CoolMOS CFD7 Type N-Channel MOSFET, 9 A, 600 V, 3-Pin TO-220
- Infineon 600V CoolMOS CFD7 Type N-Channel MOSFET, 18 A, 600 V, 3-Pin TO-220 IPP60R125CFD7XKSA1
- Infineon 600V CoolMOS CFD7 Type N-Channel MOSFET, 9 A, 600 V, 3-Pin TO-220 IPP60R280CFD7XKSA1
- Infineon CoolMOS CFD7 Type N-Channel MOSFET, 25 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS CFD7 Type N-Channel MOSFET, 14 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS CFD7 Type N-Channel MOSFET, 25 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R090CFD7XKSA1
- Infineon CoolMOS CFD7 Type N-Channel MOSFET, 14 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R170CFD7XKSA1
- Infineon CoolMOS 7 Type N-Channel MOSFET, 12 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R210CFD7XKSA1
