Infineon 700V CoolMOSª P7 Type N-Channel MOSFET, 8.5 A, 700 V, 3-Pin SOT-223 IPN70R600P7SATMA1

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

모든 MOSFETs 열람하기
대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 pack of 25 units)*

₩24,534.00

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
재고있음
  • 추가로 2025년 12월 29일 부터 5,950 개 단위 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량
한팩당
한팩당*
25 - 725₩981.36₩24,515.20
750 - 1475₩955.04₩23,894.80
1500 +₩941.88₩23,537.60

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

포장 옵션
RS 제품 번호:
218-3065
제조사 부품 번호:
IPN70R600P7SATMA1
제조업체:
Infineon
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

8.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

700V

Package Type

SOT-223

Series

700V CoolMOSª P7

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

600mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Forward Voltage Vf

0.9V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

10.5nC

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Power Dissipation Pd

6.9W

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.8mm

Width

3.7 mm

Length

6.7mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon 700V CoolMOS™ N-channel power MOSFET. The latest CoolMOS™ P7 is an optimized platform tailored to target cost sensitive applications in consumer markets such as charger, adapter, lighting, TV, etc. The new series provides all the benefits of a fast switching Superjunction MOSFET, combined with an excellent price/performance ratio and state of the art ease-of-use level.

Extremely low losses due to very low FOM RDS(on)*Qg and RDS(on)*Eoss

Excellent thermal behaviour

Integrated ESD protection diode

Low switching losses (Eoss)

관련된 링크들