Infineon OptiMOS-TM3 Type N-Channel MOSFET, 45 A, 80 V N, 3-Pin TO-252
- RS 제품 번호:
- 218-3039
- 제조사 부품 번호:
- IPD135N08N3GATMA1
- 제조업체:
- Infineon
본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.
대량 구매 할인 기용 가능
Subtotal (1 reel of 2500 units)*
₩1,659,100.00
재고있음
- 22,500 개 단위 배송 준비 완료
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량 | 한팩당 | 릴당* |
|---|---|---|
| 2500 - 10000 | ₩663.64 | ₩1,660,980.00 |
| 12500 + | ₩650.48 | ₩1,627,610.00 |
* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다
- RS 제품 번호:
- 218-3039
- 제조사 부품 번호:
- IPD135N08N3GATMA1
- 제조업체:
- Infineon
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 45A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | OptiMOS-TM3 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 13.5mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 19nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 79W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 6.22 mm | |
| Length | 6.73mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 2.41mm | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 45A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series OptiMOS-TM3 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 13.5mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 19nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 79W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 6.22 mm | ||
Length 6.73mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 2.41mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon OptiMOS™ series N-channel power MOSFET. The OptiMOS™ is the market leader in highly efficient solutions for power generation (e.g. solar micro inverter), power supply (e.g. server and telecom) and power consumption (e.g. electric vehicle).
N-channel, normal level
100% avalanche tested
Pb-free plating
관련된 링크들
- Infineon OptiMOS-TM3 Type N-Channel MOSFET, 45 A, 80 V N, 3-Pin TO-252 IPD135N08N3GATMA1
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 73 A, 80 V N, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 21 A, 150 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 73 A, 80 V N, 3-Pin TO-252 IPD096N08N3GATMA1
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 21 A, 150 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD530N15N3GATMA1
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD082N10N3GATMA1
