Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 21 A, 150 V Enhancement, 3-Pin TO-252

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

모든 MOSFETs 열람하기
대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 reel of 2500 units)*

₩2,232,500.00

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
일시적 품절
  • 2025년 12월 29일 부터 10,000 개 단위 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량
한팩당
릴당*
2500 - 10000₩893.00₩2,234,380.00
12500 +₩876.08₩2,189,260.00

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:
214-4380
제조사 부품 번호:
IPD530N15N3GATMA1
제조업체:
Infineon
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

21A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Series

OptiMOS 3

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

53mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

68W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

8.7nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

2.35mm

Length

6.65mm

Standards/Approvals

No

Width

6.42 mm

Automotive Standard

No

This Infineon OptiMOS 3 MOSFET is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. It is qualified according to JEDEC for target application

It is Halogen-free according to IEC61249-2-21

관련된 링크들