제조사부품번호

Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB120N06S4H1ATMA2

RS 제품 번호:: 218-3033
제조사 부품 번호:: IPB120N06S4H1ATMA2
제조업체:: Infineon

Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB120N06S4H1ATMA2

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RS 제품 번호:: 218-3033
제조사 부품 번호:: IPB120N06S4H1ATMA2
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	120A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	OptiMOS-T2
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 120A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series OptiMOS-T2
	Package Type TO-263
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - IPB120N06S4H1ATMA2

The Infineon OptiMOS™-T2 series N-channel power MOSFET. It has low switching and conduction power losses for high thermal efficiency.

N-channel - Enhancement mode

175°C operating temperature

100% Avalanche tested

Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB120N06S4H1ATMA2

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