Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 25 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD25N06S4L30ATMA2
- RS 제품 번호:
- 215-2504
- 제조사 부품 번호:
- IPD25N06S4L30ATMA2
- 제조업체:
- Infineon
대량 구매 할인 기용 가능
View bulk pricing optionsSubtotal (1 pack of 20 units)*
₩13,280.00
재고있음
- 추가로 2026년 7월 27일 부터 7,100 개 단위 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량 | 한팩당 | 한팩당* |
|---|---|---|
| 20 - 620 | ₩664.00 | ₩13,300.00 |
| 640 - 1240 | ₩648.00 | ₩12,980.00 |
| 1260 + | ₩640.00 | ₩12,780.00 |
* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다
- RS 제품 번호:
- 215-2504
- 제조사 부품 번호:
- IPD25N06S4L30ATMA2
- 제조업체:
- Infineon
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 25A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | OptiMOS-T2 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 300mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 16.3nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 29W | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 25A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series OptiMOS-T2 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 300mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 16.3nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 29W | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon OptiMOS®-T2 Power-Transistor has 60V maximum drain source voltage, N-Ch, Automotive MOSFET, with DPAK(TO-252) package type.
N-channel - Enhancement mode
AEC Q101 qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
Green Product (RoHS compliant)
100% Avalanche tested
관련된 링크들
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50N06S409ATMA2
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 30 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD30N06S223ATMA2
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 17 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD14N06S280ATMA2
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 30 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD30N06S215ATMA2
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode, 90 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90N06S407ATMA2
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 30 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD30N06S2L13ATMA4
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 50 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50N06S2L13ATMA2
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD100N06S403ATMA2