Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET, 30 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD30N06S2L13ATMA4

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RS 제품 번호:
214-4373
제조사 부품 번호:
IPD30N06S2L13ATMA4
제조업체:
Infineon
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브랜드

Infineon

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Package Type

TO-252

Series

OptiMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

13mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Power Dissipation Pd

136W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

54nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

6.42mm

Height

2.35mm

Standards/Approvals

No

Length

6.65mm

Automotive Standard

AEC-Q101

This Infineon OptiMOS MOSFET provides high current capability, and Lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. It is 100% Avalanche tested.

It is lead-free

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