제조사부품번호

Toshiba TPH1R306PL Type N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOP

RS 제품 번호:: 206-9789
제조사 부품 번호:: TPH1R306PL,L1Q(M
제조업체:: Toshiba

Toshiba TPH1R306PL Type N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOP

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RS 제품 번호:: 206-9789
제조사 부품 번호:: TPH1R306PL,L1Q(M
제조업체:: Toshiba

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Toshiba
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	SOP
	Series	TPH1R306PL
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2.3Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	91nC
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	170W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Length	6mm
	Height	0.9mm
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Toshiba
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type SOP
	Series TPH1R306PL
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2.3Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 91nC
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 170W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Length 6mm
	Height 0.9mm
	Automotive Standard No

Datasheet - TPH1R306PL,L1Q(M

The Toshiba silicon N-channel MOSFET having high-speed switching properties. It is mainly used in high-efficiency DC-DC converters, switching voltage regulators and motor drivers.

Low drain-source on-resistance 1.0 m?

Storage temperature -55 to 175°C

Toshiba TPH1R306PL Type N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOP

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