Vishay SiDR680ADP Type N-Channel MOSFET, 137 A, 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 reel of 3000 units)*

₩6,125,040.00

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
일시적 품절
  • 2027년 1월 26일 부터 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량
한팩당
릴당*
3000 - 3000₩2,041.68₩6,123,348.00
6000 - 9000₩1,979.64₩5,940,048.00
12000 +₩1,921.36₩5,761,824.00

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:
204-7257
제조사 부품 번호:
SIDR680ADP-T1-RE3
제조업체:
Vishay
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

137A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

SO-8

Series

SiDR680ADP

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.88mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

55nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.51mm

Width

4.9 mm

Standards/Approvals

No

Length

5.9mm

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 80 V (D-S) MOSFET has a very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM) and is tuned for the lowest RDS - Qoss FOM.

100 % Rg and UIS tested

TrenchFET Gen IV power MOSFET

관련된 링크들