제조사부품번호

Vishay TrenchFET Gen IV Type P-Channel MOSFET, 18.3 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8

RS 제품 번호:: 200-6797
제조사 부품 번호:: Si4425FDY-T1-GE3
제조업체:: Vishay

Vishay TrenchFET Gen IV Type P-Channel MOSFET, 18.3 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8

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RS 제품 번호:: 200-6797
제조사 부품 번호:: Si4425FDY-T1-GE3
제조업체:: Vishay

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Vishay
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	18.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	SO-8
	Series	TrenchFET Gen IV
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	16mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	41nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	16 V
	Maximum Power Dissipation Pd	4.8W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Vishay
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 18.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type SO-8
	Series TrenchFET Gen IV
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 16mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 41nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V
	Maximum Power Dissipation Pd 4.8W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Document- Si4425FDY-T1-GE3

The Vishay Si4425FDY-T1-GE3 is a P-channel 30V (D-S) MOSFET.

TrenchFET Gen IV p-channel power MOSFET

100% Rg tested

Vishay TrenchFET Gen IV Type P-Channel MOSFET, 18.3 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8

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