ROHM RJ1L12BGN Type N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263AB RJ1L12BGNTLL

모든 MOSFETs 열람하기
대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 pack of 2 units)*

₩19,194.80

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
마지막 RS 재고
  • 최종적인 30 개 unit(s)이 배송 준비 됨
수량
한팩당
한팩당*
2 - 8₩9,597.40₩19,194.80
10 - 18₩9,353.00₩18,706.00
20 - 198₩9,127.40₩18,254.80
200 +₩8,901.80₩17,803.60

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:
183-6004
제조사 부품 번호:
RJ1L12BGNTLL
제조업체:
ROHM
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

ROHM

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

120A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

RJ1L12BGN

Package Type

TO-263AB

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

192W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

175nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

9.2 mm

Length

10.4mm

Height

4.7mm

Standards/Approvals

RoHS

COO (Country of Origin):
KP
RJ1L12BGN is low on-resistance and small surface mount package MOSFET for switching application.

Low on - resistance

High power small mold package

Pb-free lead plating

Halogen free

관련된 링크들