제조사부품번호

DiodesZetex DMT Type N-Channel MOSFET, 46.3 A, 100 V Enhancement, 4-Pin TO-252

RS 제품 번호:: 182-6936
제조사 부품 번호:: DMTH10H025SK3-13
제조업체:: DiodesZetex

DiodesZetex DMT Type N-Channel MOSFET, 46.3 A, 100 V Enhancement, 4-Pin TO-252

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RS 제품 번호:: 182-6936
제조사 부품 번호:: DMTH10H025SK3-13
제조업체:: DiodesZetex

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	DiodesZetex
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	46.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	DMT
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	30mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	3.7W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	21.4nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	2.26mm
	Width	6.2 mm
	Standards/Approvals	No
	Length	6.7mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	모두 선택
	브랜드 DiodesZetex
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 46.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series DMT
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 30mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 3.7W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 21.4nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 2.26mm
	Width 6.2 mm
	Standards/Approvals No
	Length 6.7mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet DMTH10H025SK3-13

COO (Country of Origin):: CN

This new generation MOSFET features low on-resistance and fast switching, making it ideal for high efficiency power management applications.

100% Unclamped Inductive Switching – Ensures More Reliable

and Robust End Application

Low RDS(ON) – Minimizes Power Losses

Low QG – Minimizes Switching Losses

Lead-free finish

Halogen and Antimony Free. “Green” Device.

Applications

Power Management Functions

DC-DC Converters

Backlighting

DiodesZetex DMT Type N-Channel MOSFET, 46.3 A, 100 V Enhancement, 4-Pin TO-252

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