Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiDR392DP-T1-GE3

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RS 제품 번호:
178-3934
제조사 부품 번호:
SiDR392DP-T1-GE3
제조업체:
Vishay Siliconix
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브랜드

Vishay Siliconix

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

900μΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

6 V

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

125nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5.99mm

Standards/Approvals

No

Width

5 mm

Height

1.07mm

Automotive Standard

No

제외

COO (Country of Origin):
TW
TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Top side cooling feature provides additional venue for thermal transfer

Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching related power loss

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