Toshiba Type P-Channel MOSFET, 60 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 TJ60S04M3L

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

모든 MOSFETs 열람하기
대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 pack of 5 units)*

₩12,445.60

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
재고있음
  • 추가로 2025년 12월 29일 부터 85 개 단위 배송
  • 추가로 2026년 1월 05일 부터 1,385 개 단위 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량
한팩당
한팩당*
5 - 495₩2,489.12₩12,445.60
500 - 995₩2,425.20₩12,126.00
1000 +₩2,387.60₩11,938.00

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

포장 옵션
RS 제품 번호:
171-2485
제조사 부품 번호:
TJ60S04M3L
제조업체:
Toshiba
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Toshiba

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

9.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

10 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

125nC

Maximum Power Dissipation Pd

90W

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

7 mm

Standards/Approvals

No

Height

2.3mm

Length

6.5mm

Automotive Standard

AEC-Q101

해당 안됨

COO (Country of Origin):
JP
Applications

Automotive

Motor Drivers

DC-DC Converters

Switching Voltage Regulators

Features

Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 7.0 mΩ (typ.) (VGS = -10 V)

Low leakage current: IDSS = -10 μA (max) (VDS = -40 V)

Enhancement mode: Vth = -2.0 to -3.0 V (VDS = -10 V, ID = -1 mA)

관련된 링크들