IXYS Type N-Channel MOSFET, 66 A, 600 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN80N60P3

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RS 제품 번호:
168-4759
제조사 부품 번호:
IXFN80N60P3
제조업체:
IXYS
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브랜드

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

66A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

SOT-227

Mount Type

Panel

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

70mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

190nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

960W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

25.07 mm

Height

9.6mm

Length

38.23mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
US

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series


A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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