Vishay SiR418DP Type N-Channel MOSFET, 23 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- RS 제품 번호:
- 165-7266
- 제조사 부품 번호:
- SIR418DP-T1-GE3
- 제조업체:
- Vishay
본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.
대량 구매 할인 기용 가능
Subtotal (1 reel of 3000 units)*
₩3,141,480.00
일시적 품절
- 2026년 6월 01일 부터 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량 | 한팩당 | 릴당* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | ₩1,047.16 | ₩3,139,788.00 |
| 6000 - 9000 | ₩1,026.48 | ₩3,077,184.00 |
| 12000 + | ₩1,005.80 | ₩3,015,708.00 |
* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다
- RS 제품 번호:
- 165-7266
- 제조사 부품 번호:
- SIR418DP-T1-GE3
- 제조업체:
- Vishay
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 23A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | SiR418DP | |
| Package Type | SO-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 6mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 39W | |
| Forward Voltage Vf | 0.71V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 50nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.12mm | |
| Length | 6.25mm | |
| Width | 5.26 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 23A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series SiR418DP | ||
Package Type SO-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 6mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 39W | ||
Forward Voltage Vf 0.71V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 50nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.12mm | ||
Length 6.25mm | ||
Width 5.26 mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
관련된 링크들
- Vishay SiR418DP Type N-Channel MOSFET, 23 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR418DP-T1-GE3
- Vishay SiR462DP Type N-Channel MOSFET, 19 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR462DP-T1-GE3
- Vishay SiR416DP Type N-Channel MOSFET, 27 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR416DP-T1-GE3
- Vishay SiR416DP Type N-Channel MOSFET, 27 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay SiR462DP Type N-Channel MOSFET, 19 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay SiR Type P-Channel MOSFET, 105 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR5211DP-T1-GE3
- Vishay SiR632DP Type N-Channel MOSFET, 29 A, 150 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR632DP-T1-RE3
- Vishay SiR632DP Type N-Channel MOSFET, 29 A, 150 V Enhancement, 8-Pin SO-8