Nexperia Type N-Channel MOSFET, 3.1 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 PMV55ENEAR

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 pack of 25 units)*

₩12,382.50

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
일시적 품절
  • 2026년 8월 26일 부터 9,000 개 단위 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.

수량
한팩당
한팩당*
25 - 725₩495.30₩12,402.00
750 - 1475₩483.60₩12,090.00
1500 +₩475.80₩11,895.00

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

포장 옵션
RS 제품 번호:
151-3187
제조사 부품 번호:
PMV55ENEAR
제조업체:
Nexperia
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Nexperia

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

3.1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

120mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

12.7nC

Maximum Power Dissipation Pd

8.36W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3mm

Standards/Approvals

No

Height

1mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Automotive MOSFETs, The world's largest portfolio of AEC-Q101 qualified power MOSFETs, An in-depth understanding of automotive system requirements and focused technical capability enables Nexperia to provide power semiconductor solutions across a wide spectrum of applications. From driving a simple lamp to the sophisticated needs of power control in engine, body or chassis applications, Nexperia Power Semiconductors can provide the answer to many automotive system power problems.

AEC-Q101 compliant

Repetitive avalanche rated

Suitable for thermally demanding environments due to 175°C rating

60 V, N-channel Trench MOSFET, N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

Logic level compatible

Very fast switching

Trench MOSFET technology

ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM

AEC-Q101 qualified

관련된 링크들