Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET, 1.1 A, 20 V Enhancement, 6-Pin SC-88
- RS 제품 번호:
- 145-2681
- 제조사 부품 번호:
- SI1967DH-T1-GE3
- 제조업체:
- Vishay
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|---|---|---|
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- RS 제품 번호:
- 145-2681
- 제조사 부품 번호:
- SI1967DH-T1-GE3
- 제조업체:
- Vishay
사양
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제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Vishay | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 1.1A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | SC-88 | |
| Series | TrenchFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 790mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | 150°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 2.6nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 8 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.25W | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Maximum Operating Temperature | -55°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 1.35 mm | |
| Height | 1mm | |
| Length | 2.2mm | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Vishay | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 1.1A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type SC-88 | ||
Series TrenchFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 790mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature 150°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 2.6nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.25W | ||
Transistor Configuration Isolated | ||
Maximum Operating Temperature -55°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 1.35 mm | ||
Height 1mm | ||
Length 2.2mm | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
관련된 링크들
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET, 1.1 A, 20 V Enhancement, 6-Pin SC-88 SI1967DH-T1-GE3
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type N-Channel Power MOSFET, 1.3 A, 20 V Enhancement, 6-Pin SC-88
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 700 mA, 20 V Enhancement, 6-Pin SC-88
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type N-Channel Power MOSFET, 1.3 A, 20 V Enhancement, 6-Pin SC-88 SI1922EDH-T1-GE3
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 700 mA, 20 V Enhancement, 6-Pin SC-88 SI1553CDL-T1-GE3
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V Enhancement, 6-Pin SC-89-6 SI1029X-T1-GE3
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel MOSFET, 8 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel MOSFET, 3.1 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC
