Toshiba DTMOSIV N-Channel MOSFET, 13.7 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 TK14G65W,RQ(S

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

모든 MOSFETs 열람하기
대량 구매 할인 기용 가능
View bulk pricing options

Subtotal (5 units, in packs of 5)*

₩28,800.00

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
재고있음
  • 추가로 2026년 9월 28일 부터 5 개 단위 배송
  • 추가로 2026년 10월 05일 부터 855 개 단위 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.

수량
한팩당
한팩당*
5 - 20₩5,760.00₩28,800.00
25 - 45₩5,660.00₩28,300.00
50 - 245₩5,516.00₩27,580.00
250 - 495₩5,380.00₩26,900.00
500 +₩5,244.00₩26,220.00

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:
133-2797
제조사 부품 번호:
TK14G65W,RQ(S
제조업체:
Toshiba
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Toshiba

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

13.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

DTMOSIV

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

250mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-30V, +30V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

35nC

Maximum Power Dissipation Pd

130W

Forward Voltage Vf

-1.7V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

8.8mm

Height

4.46mm

Standards/Approvals

No

Length

10.35mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
JP

MOSFET Transistors, Toshiba


관련된 링크들