제조사부품번호

Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET, 11.1 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 TK11P65W,RQ(S

RS 제품 번호:: 133-2796
제조사 부품 번호:: TK11P65W,RQ(S
제조업체:: Toshiba

Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET, 11.1 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 TK11P65W,RQ(S

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 pack of 5 units)*

₩11,110.80

마지막 RS 재고

150 개 단위 배송 준비 완료
2026년 1월 02일 부터 최종 1,435 개 단위 배송

수량	한팩당	한팩당*
5 - 20	₩2,222.16	₩11,110.80
25 - 45	₩2,165.76	₩10,828.80
50 - 245	₩2,113.12	₩10,565.60
250 - 495	₩2,060.48	₩10,302.40
500 +	₩2,007.84	₩10,039.20

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:: 133-2796
제조사 부품 번호:: TK11P65W,RQ(S
제조업체:: Toshiba

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기

모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Toshiba
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	11.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Series	DTMOSIV
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	440mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Maximum Power Dissipation Pd	100W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	25nC
	Forward Voltage Vf	1.7V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	6.1 mm
	Length	6.6mm
	Height	2.3mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Toshiba
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 11.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Series DTMOSIV
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 440mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Maximum Power Dissipation Pd 100W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 25nC
	Forward Voltage Vf 1.7V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 6.1 mm
	Length 6.6mm
	Height 2.3mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: JP

Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET, 11.1 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 TK11P65W,RQ(S

MOSFET Transistors, Toshiba

관련된 링크들