Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET, 11.1 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 TK11P65W,RQ(S
- RS 제품 번호:
- 133-2796
- 제조사 부품 번호:
- TK11P65W,RQ(S
- 제조업체:
- Toshiba
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|---|---|---|
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- RS 제품 번호:
- 133-2796
- 제조사 부품 번호:
- TK11P65W,RQ(S
- 제조업체:
- Toshiba
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Toshiba | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 11.1A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | DTMOSIV | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 440mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 25nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 100W | |
| Forward Voltage Vf | 1.7V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.6mm | |
| Height | 2.3mm | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Toshiba | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 11.1A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series DTMOSIV | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 440mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 25nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 100W | ||
Forward Voltage Vf 1.7V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.6mm | ||
Height 2.3mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
MOSFET Transistors, Toshiba
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